【嘉勤点评】新洁能发明的高可靠性功率MOSFET结构方案，通过将第二类沟槽内的第二屏蔽栅多晶硅与源极金属电连接，使得第一类沟槽内的第一屏蔽栅多晶硅也获得源极电位，从而可保证较大面积的电流通路，并可有效降低导通电阻。

　　金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，是一种功率半导体器件。MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型”的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET。

　　如上图，为传统栅极多晶硅的结构示意图，其中，第二类沟槽4环绕第一类沟槽3设置并在第一类沟槽延伸的方向上，且第一类沟槽内的第一屏蔽栅多晶硅8与第二类沟槽内的第二屏蔽栅多晶硅16不相连，这导致了在第一类沟槽内必须有额外的通孔将源极电位引入第一屏蔽栅多晶硅。

　　但是这种设计方法会使得器件内部击穿电压不均匀，在第一类沟槽内不设有栅极导电多晶硅的位置，器件的击穿特性会显著不同，导致器件可靠性下降，同时还浪费芯片面积，增加了生产成本。

　　为此，新洁能在2021年7月15日申请了一项名为“一种高可靠性功率MOSFET及其制造方法”的发明专利（申请号：3.2），申请人为无锡新洁能股份有限公司。

　　如上图，为该专利中发明的一种高可靠性功率MOSFET，其主体结构为半导体基板，半导体基板的下层为第一导电类型衬底1，该方案中采用N型衬底，上层为第一导电类型外延层2，同样采用N型外延层，在第一导电类型外延层的表面设有多条第一类沟槽3与第二类沟槽4，第一类沟槽互相平行且间隔均匀地分布，第二类沟槽环绕第一类沟槽设置。

　　在第一类沟槽延伸的方向上，第一类沟槽与第二类沟槽连接，在第一类沟槽垂直的方向上，第一类沟槽与第二类沟槽互相平行，第一类沟槽所在的区域为有源区。第二类沟槽与其外围区域为终端区，其相邻且互相平行的第一类沟槽之间的区域为过渡区，在有源区与过渡区的表面设有第二导电类型体区5，该方案中使用P型体区，同时，在有源区内的第二导电类型体区的表面设有第一导电类型源区6，该方案中使用N型源区。

　　在该专利中，也公布了这种高可靠性功率MOSFET的制作方法，主要会利用淀积导电多晶硅填充第一、第二类沟槽，利用刻蚀导电多晶硅形成第一屏蔽栅多晶硅与第二屏蔽栅多晶硅。通过在第一导电类型外延层的表面，以及第一类沟槽与第二类沟槽的侧壁形成二氧化硅构成的栅氧层。

　　以上就是新洁能发明的高可靠性功率MOSFET结构方案，通过将第二类沟槽内的第二屏蔽栅多晶硅与源极金属电连接，使得第一类沟槽内的第一屏蔽栅多晶硅也获得源极电位，这种版图设计使得设计人员不必浪费有源区的面积来使得第一屏蔽栅多晶硅获得源极电位，从而可保证较大面积的电流通路，并可有效降低导通电阻。

　　深圳市嘉勤知识产权代理有限公司由曾在华为等世界500强企业工作多年的知识产权专家、律师、专利代理人组成，熟悉中欧美知识产权法律理论和实务，在全球知识产权申请、布局、诉讼、许可谈判、交易、运营、标准专利协同创造、专利池建设、展会知识产权、跨境电商知识产权、知识产权海关保护等方面拥有丰富的经验。

　　敏芯股份12月31日发布公告称，该公司近日收到了北京知识产权法院出具的《民事裁定书》。根据该裁定书，就原告歌尔股份与被告敏芯股份侵害实用新型专利权纠纷一案，法院裁定准许原告撤回起诉。

　　据悉，2019 年 7 月 29 日，歌尔股份以公司产品中产品编码为“MB17H11N”、“MB10H11X”的产品侵害其第 ZL5.3 实用新型专利权为由向北京知识产权法院提起诉讼。主张敏芯股份立即停止侵害其实用新型专利权的行为，包括立即停止制造、销售和许诺销售被控侵权产品的行为，销毁被控侵权产品，以及销毁专用于制造被控侵权产品的零部件、工具、模具及设备；另外，歌尔股份向敏芯股份索赔400万元人民币。

　　敏芯股份在公告中指出，本次诉讼事项不会对公司的日常生产经营产生负面影响，也不会对公司当期及未来的损益产生负面影响。

　　弘信电子在互动平台上表示，截止2021年半年度末公司及子公司已获得授权发明专利42项、实用新型专利255项、软件著作权60项、外观设计专利5项、美国专利1项。其中部分专利达到世界领先水平。

　　资料显示，弘信电子是专业从事柔性印制电路板（FPC，俗称“软板”）研发、设计、制造和销售的高新技术企业。其产品广泛应用于手机、平板电脑、可穿戴设备、汽车电子等领域，并进一步加工为压力传感器等其他柔性电子产品应用于可穿戴设备、高端厨电、智能家电及小家电领域。

　　据了解，以手机为代表的消费电子软板领域，弘信电子经过多年积累，弘信电子凭借技术、产品质量、供货效率、产能规模等优势，与深天马、小米、京东方、华星光电、群创光电、欧菲光、东山精密、领益智造、联想/MOTO、OPPO、vivo等国内外知名的液晶显示模组、指纹识别模组、触控模组、手机及平板电脑终端厂商等建立了良好、稳定的战略合作关系。

　　2022年1月5日，全球领先的集成电路制造和技术服务提供商长电科技（600584.SH）发布涉及诉讼进展公告。公告如下：

　　2022 年 1 月 4 日，三星电子在韩国和英国都提交了“神经量子处理器”（Neural Quantum Processor）的商标申请。在其所属的第 9 类别中，包括了电视机 / 电视芯片组、以及电视类设备的微处理器 / 多处理器芯片。虽然申请文档未披露更多细节，但我们不难猜测该公司会为旗下智能电视产品线引入新颖的 AI / 神经量子处理器。

　　在 16 核神经网络芯片的加持下，AI 算法可将低分辨率图像更好地拉伸至 8K 规格。而在最新的商标申请中，我们又预见了被称作“神经量子处理器”的新款智能电视芯片组。

　　不过目前尚不清楚该商标所指的 Neural Quantum Processor 是否只是新量子处理器的一个别称，还是该公司正在开发一款衍生型号。

　　回望 2019 年，三星首次推出了搭载量子处理器的智能电视，同样借助机器学习技术将内容提升至 8K 画质。

　　1月6日，盛美上海在公告中表示，公司与DNS、LAM、TEL等相比有独特的竞争优势，公司采取差异化技术的竞争策略，尤其是在兆声波清洗技术领域，公司拥有独家专利IP，竞争优势明显。公司也将继续加大研发投入，希望能够在平面半导体清洗领域领先国际大厂，而在未来立体结构清洗领域，盛美的IP技术在先进工艺节点希望做得比国际大厂更好。

　　在国内半导体设备市场，国产份额的比例还很低。清洗领域可能是国产化比例最高的细分之一，主要贡献者也是盛美。盛美表示，欢迎正常的良性竞争，公司认为良性的竞争有利于公司自身及行业的快速发展。公司有些产品和北方华创是重合的，但我们是友商，如清洗及立式炉管设备，公司和北方华创做的具体产品开拓重点顺序还是不同的。我们两家公司主要还是和海外的两家设备商竞争。我们的立式炉管设备的现阶段重点是LPCVD，未来重点是立式炉管ALD。

　　盛美上海表示，在清洗设备领域，相比国内外竞争对手，盛美几乎是能全面覆盖的，其中SAPS、TEBO、Tahoe是盛美全球独家拥有的技术。加上公司在研的超临界CO2干燥技术、先进IPA干燥技术等，盛美的产品覆盖了90%的清洗设备，并且盛美对全部设备均拥有独立IP。盛美在2008年发明了SAPS技术，解决了兆声波在晶圆表面的均匀性问题；2015年发明了TEBO技术，解决了3D图形的损伤难题，并申请了9项专利。未来，逻辑器件在3/2nm之后必然会走3D架构，DRAM存储也会走3D架构，3DNAND已经是3D架构，这样未来3D的清洗是个世界性难题，公司的兆声波技术加上公司正在开发的超临界干燥及先进IPA干燥技术，可以为未来的3D清洗及干燥提供最理想的解决方案。

　　据了解，盛美上海的许多核心技术人员拥有二十多年半导体装备研发经验，且盛美有一套成熟的研发方法论，立足技术差异化、原始创新（如兆声波SAPS、TEBO和Tahoe清洗技术）。团队主要是根据客户端需求、内部研发、全球IP调研来铺垫自身专利壁垒，产品开发目标为未来一、二代以后的技术。（校对/Andy）

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